產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同優(yōu)勢疊加高技術(shù)門檻壁壘 多氟多電子級氫氟酸需求現(xiàn)急速增長
產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同優(yōu)勢疊加高技術(shù)門檻壁壘 多氟多電子級氫氟酸需求現(xiàn)急速增長
7月4日起，日本開始實行限制向韓國出口電視、智能手機中OLED顯示器部件使用的“氟聚酰亞胺”、半導體制造過程中必須使用的“光刻膠”和“高純度氟化氫”等3個品種。我國企業(yè)在半導體材料以及OLED領域的出口替代引發(fā)市場廣泛關(guān)注。
作為目前全球工業(yè)級氫氟酸產(chǎn)能最大企業(yè)，多氟多(002407)在電子級氫氟酸領域的產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同優(yōu)勢及高技術(shù)門檻壁壘不容小視。近期，韓國企業(yè)赴中國洽談電子級氫氟酸采購的頻率明顯增強，而多氟多當前產(chǎn)能已難以滿足急速增長的市場需求。
電子級氫氟酸的高門檻
日本限制向韓國出口的高純度氟化氫，又被稱作電子級氫氟酸，在半導體制造工藝中主要用于清洗、刻蝕等步驟。
按照行業(yè)分析人士的說法，由于半導體中的金屬離子雜質(zhì)會影響半導體中少子的壽命、表面的導電性、門氧化物的完整性和穩(wěn)定性等參數(shù)，且金屬離子雜質(zhì)在高溫下或電場下會向半導體本體擴散或在表面擴大分布，導致半導體性能下降，因此半導體級氫氟酸對其中的金屬離子含量有非常嚴格的要求，且適用的晶圓半徑越大，制程越先進，對金屬離子含量的要求越高。
“基于對生產(chǎn)工藝技術(shù)的高要求，對于國產(chǎn)企業(yè)而言，電子級氫氟酸產(chǎn)品門檻較高，外圍企業(yè)并不容易介入?！倍喾喔倍麻L李云峰與證券時報·e公司記者交流時稱，半導體用的電子級氫氟酸所有單項金屬雜質(zhì)的質(zhì)量分數(shù)≤0.1μg/L，對應SEMI國際通用標準等級中，為Grade 4（G4）以上等級的電子級氫氟酸；對應國內(nèi)行業(yè)標準中，UP-SS及以上等級的電子級氫氟酸。而對于現(xiàn)在國際上主流的12寸晶圓來說，其制造過程中需要金屬離子含量低于0.0001μg/L，對應SEMI Grade 5（G5）或者UP-SSS標準。
有不完全統(tǒng)計顯示，目前我國電子級氫氟酸生產(chǎn)廠家有十一家左右（包括已投產(chǎn)及在建），但是我國電子級氫氟酸技術(shù)還處于中低階段，目前能達到半導體所用UP-SS級別（即G4級）的企業(yè)僅三四家，其中已投產(chǎn)的主要是多氟多（G5）和濱化股份（G4）；能達到12寸晶圓使用需求的電子級氫氟酸，即G5級別 或 UP-SSS級別的，目前只有多氟多和正在建設中的湖北興力。
李云峰也介紹稱，2013年起多氟多已建立了萬級清洗、千級灌裝、百級分析室、電子級自動灌裝線，制程設計為全球最高端純化工藝UPSS級，產(chǎn)品純度達到PPT級。目前公司電子級氫氟酸的產(chǎn)品性能已經(jīng)優(yōu)于行業(yè)內(nèi)SEMI-C12之標準，陰離子（各種酸根離子）含量<5ppb，陽離子含量<10ppt，顆粒（粒徑≥0.2μm）≤10個/ml，完全可以滿足國內(nèi)主流8”，12”集成電路生產(chǎn)的工藝要求。
產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢持續(xù)顯現(xiàn)
從生產(chǎn)冰晶石的初級氟化工起家，到開辟六氟磷酸鋰市場實現(xiàn)行業(yè)第一的目標，多氟多在氟化工領域的探索已有數(shù)十年歷史，產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢盡顯。
“多氟多從1988年開始做冰晶石開始，跟氫氟酸打交道已經(jīng)30多年了，是國內(nèi)第一家采用無水氫氟酸裝置做無水氟化鋁的企業(yè)。公司做工業(yè)級氫氟酸的產(chǎn)能最大，歷史也最長?！闭劦焦驹诜ば袠I(yè)的產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢，李云峰稱，在產(chǎn)業(yè)鏈最上游，多氟多擁有自己的螢石礦資源，同時，公司工業(yè)級氫氟酸產(chǎn)能已做到全球第一的位置。
2012年，多氟多對白銀中天化工有限責任公司（下稱“白銀中天”）實施并購重組，新建高性能無水氟化鋁配套無水氟化氫項目和5萬噸/年無水氟化氫項目。此后在2017年6月，與寧夏金和化工有限公司共同投資設立寧夏盈氟金和科技有限公司（下稱“盈氟金和”），從事氟化鹽的生產(chǎn)經(jīng)營業(yè)務。