電子氣體是市場(chǎng)規(guī)模僅次于襯底材料的第二大半導(dǎo)體制造用材料，占芯片制造材料成本的20%左右，包括大宗電子氣體、離子注入氣體、薄膜沉積氣體[包括化學(xué)氣相沉積（Chemical Vapor Deposition， CVD）、原子層沉積（Atomic Layer Deposition， ALD）氣體和前驅(qū)體]、刻蝕/清洗氣體、激光氣體等，產(chǎn)品品種繁多，在半導(dǎo)體制造中被廣泛應(yīng)用于薄膜、刻蝕、摻雜、氣相沉積、擴(kuò)散等涉及晶圓制造的主要工藝環(huán)節(jié)。其產(chǎn)品品質(zhì)直接關(guān)系到器件的性能和產(chǎn)品成品率。通常，電子氣體的雜質(zhì)含量要求控制在10-6~10-9數(shù)量級(jí)，對(duì)其中的有害雜質(zhì)更是有嚴(yán)格的規(guī)定。電子氣體是影響芯片制造和器件性能的核心材料。
大宗電子氣體
大宗電子氣體包括氮?dú)猓∟2）、氫氣（H2）、氬氣（Ar）、氦氣（He）、氧氣（O2）、二氧化碳（CO2）等。其中，氮?dú)猓∟2）主要供給氣動(dòng)設(shè)備作為氣源或供給吹凈、稀釋、惰性氣體環(huán)境及化學(xué)品輸送裝置作為壓力來源；氫氣（H2）供給爐管設(shè)備并燃燒造成濕氧環(huán)境及作為相關(guān)還原反應(yīng)的還原劑；氬氣（Ar）供給濺射工藝作為離子濺射熱傳導(dǎo)介質(zhì)、進(jìn)行腔體稀釋及營(yíng)造惰性氣體環(huán)境；氦氣（He）用作化學(xué)品輸送壓力介質(zhì)及晶圓冷卻，以及高真空、高密封設(shè)備的檢漏；氧氣（O2）供給刻蝕、CVD工藝和爐管設(shè)備作為氧化劑及用來產(chǎn)生O3等。
離子注入氣體
離子注入氣體顧名思義是離子注入工藝用氣體。通過離子注入形成摻雜是半導(dǎo)體器件制作的基礎(chǔ)。通常，摻雜工藝包括摻磷、摻硼、摻砷。采用的氣體主要是磷烷（PH3）、三氟化硼（BF3）和砷烷（AsH3）。該三類氣體均是劇毒氣體，必須采用安全的負(fù)壓包裝技術(shù)，即離子注入安全氣體源（Safe Delivery Source，SDS），通過特殊工藝從根本上消除高危氣體泄漏的可能性。此外，四氟化硅（SiF4）、四氟化鍺（GeF4）用于摻雜工藝前的預(yù)非晶化處理，作為摻雜工藝的輔助氣體。
薄膜沉積氣體
薄膜沉積氣體主要包括CVD/ALD氣體和前驅(qū)體，借助CVD或ALD工藝在基體表面上發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成固態(tài)薄膜材料。依據(jù)成膜種類的不同使用不同的CVD氣體和前驅(qū)體。
點(diǎn)擊放大丨半導(dǎo)體制造常用CVD氣體
點(diǎn)擊放大丨先進(jìn)半導(dǎo)體制造常用前驅(qū)體
刻蝕/清洗氣體
刻蝕就是把基片上無光刻膠掩蔽的表面，如二氧化硅膜、金屬膜等刻蝕掉，使有光刻膠掩蔽的區(qū)域保存下來，在基片表面上形成所需要的成像圖形。干法刻蝕由于刻蝕方向性強(qiáng)、工藝控制精確、方便、無脫膠現(xiàn)象、無基片損傷和玷污，在集成電路工藝中的應(yīng)用日益廣泛。干法刻蝕所用氣體稱刻蝕氣體?？涛g氣體的另一種用途就是用來清洗CVD腔室，清除生長(zhǎng)在腔壁上的沉積物。
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激光氣體
激光氣體用于光刻機(jī)激光光源，是以氟（F2）、氬（Ar）、氪（Kr）、氖（Ne）、氙（Xe）、氦（He）等為主的混合氣體。半導(dǎo)體制造行業(yè)除了對(duì)激光氣體的安全性有很高的要求外，對(duì)激光氣體的純度、濃度比例的精確度要求極高。激光氣體的使用量較小，但重要性很大。
